“高压真空断路器”因其灭弧介质和灭弧后触头间隙的绝缘介质都是高真空而得名，其具有体积小，重量轻，适用于频繁操作，灭弧不用检修的优点，在配电网中应用较为普及，发展简史1893年，美国的里顿豪斯提出了结构简单的真空灭弧室，并获得了设计专利。

　　1920年瑞典佛加公司第一次制成了真空开关，1926年等公布的研究成果也显示了在真空中分断电流的可能性，但因分断能力小，又受到真空技术和真空材料发展水平的限制，尚不能投入实际使用。

　　随着真空技术的发展，50年代美国才制成第一批适用于切断电容器组等特殊要求的真空开关，分断电流尚停在4千安的水平，由于真空材料冶炼技术上的进步和真空开关触头结构研究上所取得的突破，1961年，开始生产15千伏，分断电流为12.5千安的真空断路器。

　　1966年试制成15千伏，26千安和31.5千安的真空断路器，从而使真空断路器进入了高电压，智能断路器大容量的电力系统，80年代中期，真空断路器的分断能力已达100千安，中国从1958年开始研制真空开关，1960年西安交通大学和西安开关整流器厂共同研制成第一批6.7千伏，分断能力为600安的真空开关，随后又制成10千伏，分断能力为1.5千安的三相真空开关，1969年华光电子管厂和西安高压电器研究所制成了10千伏，2千安单相快速真空开关，70年代以后，中国已能独立研制和生产各种规格的真空开关。

　　1，阴极引起的击穿，在强电场下，由于场发射电流的焦耳发热效应，使阴极表面突出物的温度升高，当温度达到临界点时，突出物熔化产生蒸汽引起击穿。

　　2，阳极引起的击穿:由于阴极发射的电子束，轰击阳极使某点发热产生熔化和蒸汽而发生间隙击穿，产生阳极引起击穿的条件与电场提高系数和间隙距离有关。

　　此外，真空断路器的回路电阻是影响温升的主要热源，而灭弧室的回路电阻通常要占真空断路器回路电阻的50%以框架断路器上，触头间隙接触电阻是真空灭弧室回路电阻的主要组成部分，因为触头系统密封于真空灭弧室内，而产生的热量只能通过动，静导电杆向外部散热。

　　1，周围空气温度上限值不超过+40℃，下限值不低于-5℃，且24h的平均温度值不超过+35℃。

　　注1：下限值为-10℃或-25℃的工作条件，在订货时用户须向制造厂申明。

　　注2：上限值超过+40℃或下限值低于-25℃的工作条件，用户应与制造厂协商。

　　2，安装地点的海拔不超过2000m。

　　3，大气相对湿度在周围空气温度为+40℃时不超过50%，在较低温度下可以允许有较高的相对湿度，例如在+20℃时达90%，对由于温度变化偶尔产生的凝露应采取适当的措施。

　　4，污染等级：2级。

　　5，安装类别:Ⅱ类及Ⅲ类。

　　6，安装场所的外磁场任何方向不应超过地磁场的5倍。

　　7，一般垂直安装，任何方向允差2°。

　　8，安装处应无显著冲击和振动。

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